En el ámbito del desarrollo de hardware para inteligencia artificial (IA) China está avanzando con el freno de mano echado. La imposibilidad de acceder a los equipos de fotolitografía de ultravioleta extremo (UVE) que diseña y fabrica la compañía neerlandesa ASML impide a los fabricantes de chips chinos producir GPU para IA equiparables a las más avanzadas que fabrican NVIDIA, AMD o Cerebras, entre otras compañías de alineación occidental.
Además, por el momento los fabricantes chinos de chips de memoria no están produciendo soluciones capaces de competir con las memorias más avanzadas que fabrican las compañías surcoreanas Samsung y SK Hynix, o la estadounidense Micron Technology. Las GPU para IA trabajan codo con codo con los chips de memoria HBM (High Bandwidth Memory). De hecho, su rendimiento está en gran medida condicionado por estas memorias.
Como explican los editores de SemiAnalysis, el ancho de banda total de los chips de memoria HBM3 que conviven con algunas de las GPU para IA más avanzadas de NVIDIA o AMD supera los 819 GB/s, mientras que las memorias DDR5 y GDDR6X alcanzan unos mucho más modestos 70,4 GB/s y 96 GB/s. Las memorias HBM3E y las futuras HBM4 son aún mejores. Los fabricantes chinos de este tipo de chips no producen aún esta clase de memorias, pero una filtración asegura que Huawei va a cambiar este escenario hoy mismo.
Huawei planea dar a China el impulso que necesita en la industria de las memorias
Según SCMP, el medio estatal chino Securities Times ha desvelado que Huawei está a punto de presentar un avance tecnológico que persigue reducir la dependencia de China de los chips de memoria HBM procedentes del extranjero. Según esta fuente Huawei va a dar a conocer oficialmente su hito tecnológico dentro de unas horas, durante la celebración en Shanghái (China) del Foro de Aplicaciones y Desarrollo de Razonamiento de IA Financiera 2025.
En una pila HBM3E la XPU y la memoria HBM están enlazadas a través de más de 1.000 conductores
Por el momento no sabemos nada más, pero es razonable prever que probablemente lo que va a presentar Huawei es una tecnología de empaquetado de vanguardia que, quizá, rivalizará con las empleadas por SK Hynix, Samsung o Micron para producir sus memorias HBM3 y 3E. Y es que fabricar estos circuitos integrados es complejo debido a que requieren apilar varios chips DRAM e implementar una interfaz entre la XPU (eXtended Processing Unit) o unidad de procesamiento extendido y los chips HBM extraordinariamente densa. Como muestra un botón: en una pila HBM3E la XPU y la memoria HBM están enlazadas a través de más de 1.000 conductores.
SK Hynix, Samsung y Micron están fabricando a gran escala, aunque con diferente éxito, memorias HBM3E de 12 capas. Las dos firmas surcoreanas producirán chips HBM4 a gran escala durante el segundo semestre de 2025, y Micron lo hará en 2026. Sin embargo, CXMT (Changxin Memory Technologies), una de las empresas chinas especializadas en la producción de memorias, lanzará sus primeros chips HBM3E en 2027.
SK Hynix lidera el mercado de las memorias HBM con una autoridad impactante. Su cuota de mercado roza el 70%, de modo que el 30% restante se lo reparten Samsung y Micron Technology. Tras ellas pisan cada vez más fuerte los fabricantes chinos de chips de memoria Yangtze Memory Technologies Co. (YMTC) y CXMT, que han optado por competir en este mercado tan atractivo desplegando una política de precios muy agresiva. CXMT en particular ha incrementado su capacidad de producción de chips DRAM casi cinco veces durante los últimos cuatro años, lo que le ha permitido aumentar su cuota de mercado global hasta alcanzar un muy digno 9%.
Más información | SCMP
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La noticia
Huawei asegura que ha resuelto un desafío tecnológico que disparará la competitividad de China en IA frente a EEUU
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Xataka
por
Juan Carlos López
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